FMA16N60E 时间：2025/8/9 15:07:21 阅读：31

FMA16N60E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，专为高功率应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMA16N60E具有多项显著的性能特点，首先是其低导通电阻，仅为0.32Ω，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET的漏源电压为600V，能够在高电压环境下稳定运行，适用于各种高压电源转换设备。
　　其次，该器件的栅源电压为±30V，具有较高的抗过压能力，确保在复杂电磁环境中运行的稳定性。漏极电流最大可达16A，适合用于高功率负载的开关控制，如电机驱动和电源管理模块。
　　在封装方面，FMA16N60E采用TO-220封装，具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命。同时，该封装形式便于安装在散热片上，适用于各种工业级电路板设计。
　　此外，FMA16N60E具有优异的抗雪崩能力和高可靠性，能够在极端工况下保持稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，适合在恶劣环境条件下运行。

应用

FMA16N60E广泛应用于多个高功率电子系统中，主要适用于开关电源（SMPS）设计，如AC/DC转换器、DC/DC转换器等，能够有效提高电源效率并降低能耗。此外，在电机控制领域，该MOSFET可用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制能力。
　　工业自动化系统中，FMA16N60E常用于继电器替代、高边开关和负载管理电路，能够实现高速开关和精确控制。同时，该器件也适用于逆变器设计，如太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，以提升系统的稳定性和能效。
　　另外，FMA16N60E还可用于LED照明驱动电路、电池充电器以及各类工业电源设备中，凭借其高可靠性和优异的热性能，确保系统长时间稳定运行。