时间：2025/5/19 11:49:41
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NGTB20N120IHRWG是英飞凌（Infineon）推出的增强型N沟道MOSFET，采用TO-247封装。这款器件设计用于高功率开关应用，能够承受高达1200V的漏源极电压，并具有低导通电阻和优秀的开关性能。
该型号特别适用于工业电力电子领域，如电机驱动、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动车充电器等。此外，其优化的热性能使其能够在高负载条件下稳定运行。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：1390pF
反向恢复时间：12μs
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，适用于高压系统
2. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗
3. 优化的开关性能，降低开关损耗
4. 快速的反向恢复特性，适合高频应用
5. 超强的雪崩能量吸收能力，提高了系统的可靠性
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计
7. TO-247封装形式，便于散热和安装
8. 内置二极管，支持续流保护功能
1. 工业电机驱动中的逆变器电路
2. 太阳能逆变器中的功率转换模块
3. 不间断电源（UPS）的核心功率级元件
4. 电动车充电站中的直流-直流变换器
5. 高压开关电源（SMPS）
6. 智能电网相关的能源管理设备
7. 照明镇流器和其他需要高压切换的应用
FGTB20N120IHRWG, NGTB30N120IHRWG
