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TGF2023-20 发布时间 时间:2025/8/16 6:56:49 查看 阅读:5

TGF2023-20 是一款由 Teledyne Microwave Solutions(或其子公司)生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),主要用于高频功率放大器和射频/微波应用。这款器件被设计用于在 S 波段至 C 波段频率范围内提供高线性度和高效率的功率输出,适合雷达、通信系统和测试设备等应用。

参数

工作频率:2.0 GHz - 2.4 GHz
  输出功率:20 W(典型值)
  增益:约 10 dB
  效率:约 40%
  漏极电压:28 V
  输入驻波比(VSWR):1.5:1(典型值)
  封装形式:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

TGF2023-20 的核心特性之一是其 GaAs FET 技术,提供了良好的高频性能和热稳定性。该器件能够在 S 波段至 C 波段范围内提供高达 20 W 的连续波(CW)功率输出,适用于中等功率射频放大应用。其 10 dB 的典型增益水平在匹配电路优化后可实现高效的信号放大。
  此外,TGF2023-20 具有较高的线性度,使其适用于需要低失真的通信系统,如数字无线传输和宽带放大器。该器件的工作电压为 28 V,这在射频功率晶体管中属于常见标准,有助于提高效率并降低功耗。
  采用陶瓷金属封装,TGF2023-20 在热管理和机械稳定性方面表现出色,能够承受较高的工作温度(最高可达 150°C),从而确保在苛刻环境下的可靠运行。这种封装形式也提供了良好的射频性能和散热能力,适合高功率密度设计。
  该器件的输入驻波比(VSWR)为 1.5:1,表明其具有良好的输入匹配性能,减少了信号反射并提高了系统的稳定性。TGF2023-20 还具有较高的抗失真能力和良好的互调特性,适用于需要高保真度放大的应用场景。

应用

TGF2023-20 主要用于雷达系统、军用通信设备、测试与测量仪器、卫星通信以及工业射频加热设备等高频功率放大场景。其高线性度和稳定的工作性能也使其适用于数字无线通信系统中的功率放大模块设计。

替代型号

TGF2023-15, TGF2023-25, MRF151G, NXP MFE20030

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TGF2023-20参数

  • 制造商TriQuint
  • 技术类型HEMT
  • 频率18 GHz
  • 增益15 dB
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 闸/源击穿电压- 3 V
  • 漏极连续电流6 A
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 功率耗散80 W
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体17-Pin-Die
  • P1dB50 dBm
  • 零件号别名1068840