R7000604XXUA 是瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的一款功率MOSFET,属于R7000系列。该系列MOSFET以其高性能和高可靠性著称,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和电池管理系统等领域。R7000604XXUA的具体型号表明其特定的电气特性和封装形式,适用于高功率密度和高效率的设计需求。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A(Tc=25℃)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55℃至150℃
封装类型:TO-263(D2PAK)
导通电阻(Rds(on)):最大值4.2mΩ(典型值3.6mΩ)
阈值电压(Vgs(th):2V至4V
输入电容(Ciss):1750pF
反向恢复时间(trr):30ns
R7000604XXUA 采用先进的沟槽栅极技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流处理能力和低热阻使其能够在高负载条件下稳定工作。此外,R7000604XXUA具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够承受瞬时过载和高频开关操作带来的应力。其TO-263封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的应用场景。该MOSFET还具有快速开关速度,有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
R7000604XXUA 常用于高性能电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如电动车辆的电源管理单元和车载充电器。
R7000604XANA、R7000604XSA、SiS828DN、IRF6723N、FDMS86181