时间：2025/7/2 15:28:09
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IXTP80N12T2 是一款由 IXYS 公司生产的高压功率 N 沟道 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它适合用于各种工业应用，如开关电源、电机驱动、逆变器等。IXTP80N12T2 的封装形式为 TO-247，能够有效降低散热阻抗，提升整体系统效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：80A
导通电阻：2.6mΩ（典型值）
栅极电荷：150nC
输入电容：3500pF
总功耗：320W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IXTP80N12T2 采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，这种设计显著降低了导通电阻，从而提高了效率并减少了发热。
器件具备快速开关能力，支持高频应用，并且在硬开关和软开关电路中表现出色。
其高达 1200V 的漏源击穿电压使其非常适合高压环境下的功率转换。
此外，IXTP80N12T2 提供了良好的雪崩能力和鲁棒性，能够在恶劣条件下可靠运行。
IXTP80N12T2 广泛应用于高压功率电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 不间断电源（UPS）
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电桩
6. 工业自动化设备中的功率管理模块
7. 高频 DC/DC 转换器
由于其卓越的性能，这款 MOSFET 在需要高效能量转换和可靠性的场合中备受青睐。
IXTN80N12T2
IRG4PC40KD
FDP16N120
