类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：3.9mΩ（最大值，典型值为3.2mΩ）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：HSOP（高散热功率表面贴装封装）
　　栅极电荷(Qg)：75nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：2600pF（典型值）

RS403GL-BP MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高性能功率电子系统。
　　首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，适用于高电流应用。其最大值为 3.9mΩ，确保在大电流负载下保持良好的性能。
　　其次，RS403GL-BP 支持高达 100A 的连续漏极电流，在 25°C 下表现优异，并且在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于如服务器电源、通信设备电源和高功率 DC-DC 转换器等需要高电流能力的场合。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 的栅极电压下工作，使其兼容多种驱动器 IC 和控制器，适用于广泛的电源管理系统。
　　此外，RS403GL-BP 采用 HSOP 封装，具备优异的散热性能，有助于在高功率密度设计中维持良好的热管理。这种封装形式还支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　该器件还具备高雪崩耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性和可靠性。这一特性使其特别适用于汽车电子、工业控制和不间断电源（UPS）等关键应用领域。
　　RS403GL-BP 的温度稳定性优异，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。其高耐压能力和良好的热管理性能使其成为高可靠性应用的理想选择。

RS403GL-BP MOSFET 主要应用于需要高效率、高电流能力和良好热管理的功率电子系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，RS403GL-BP 可作为主开关器件，利用其低导通电阻和高电流能力，提高转换效率并降低发热。该器件特别适用于服务器电源、通信电源模块以及笔记本电脑适配器等高功率密度设计。
　　在负载开关应用中，RS403GL-BP 可用于控制高电流负载的通断，例如电源管理模块、电池管理系统（BMS）和智能功率分配系统。其低导通损耗和高耐压能力确保了系统的稳定性和可靠性。
　　在电机驱动和功率放大器应用中，该器件可作为高边或低边开关，提供快速响应和高效能操作。此外，RS403GL-BP 也可用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用，支持高效率的能量转换。
　　在汽车电子系统中，RS403GL-BP 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和电机控制模块。其高耐压能力和宽工作温度范围使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。
　　该器件还可用于高功率 LED 照明系统、工业自动化控制设备以及智能电网相关应用，满足各种高可靠性需求。

SiR142DP-T1-GE, IRF1404ZPBF, FDS4410AS, IPB013N04LGATMA1