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HN1B01FDW1T1G 发布时间 时间:2023/3/3 16:24:40 查看 阅读:297

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列

    系列:-

  

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列

    系列:-

    晶体管类型:NPN, PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

    电流 - 集电极截止(最大):2?A

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA, 6V

    功率 - 最大:380mW

    频率 - 转换:-

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-74-6

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:SC-74

    其它名称:HN1B01FDW1T1GOS


资料

厂商
ON Semiconductor

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HN1B01FDW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)2µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 2mA,6V
  • 功率 - 最大380mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SC-74
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称HN1B01FDW1T1GOS