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R5009FNX 发布时间 时间:2025/12/25 10:54:43 查看 阅读:11

R5009FNX是一款由理光(Ricoh)公司生产的高精度、低功耗的电压检测器(Voltage Detector)集成电路,广泛应用于需要精确监控电源电压的电子设备中。该芯片主要用于监测系统供电电压是否处于正常工作范围内,并在电压低于或高于预设阈值时输出相应的信号,以保护系统免受欠压或过压的影响。R5009FNX采用CMOS工艺制造,具有极低的静态电流消耗,适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。该器件通常集成在嵌入式系统、便携式设备、工业控制模块以及各类消费类电子产品中,作为系统复位控制或电源监控的核心元件之一。R5009FNX提供高稳定性和可靠性,能够在宽温度范围内保持准确的检测性能,确保系统在各种环境条件下稳定运行。此外,该芯片封装小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用,是现代电子设计中实现电源管理与系统保护的理想选择之一。

参数

工作电压范围:1.0V ~ 6.0V
  检测电压精度:±1.0%(典型值)
  静态电流:0.45μA(典型值)
  输出类型:N沟道开漏输出(Open Drain)
  复位延迟时间:可外部通过电容设定或内部固定
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN(PLP) 1.2×1.2mm 小尺寸封装
  阈值电压选项:多种固定检测电压版本可供选择(如2.3V, 2.5V, 3.0V, 3.3V等)
  响应时间:快速响应,适用于瞬态电压变化检测

特性

R5009FNX具备出色的低功耗特性,其静态电流低至0.45μA,非常适合用于电池供电的便携式设备,例如智能手表、无线传感器节点、医疗监控设备以及物联网终端等。这种极低的待机电流能够显著延长设备的续航时间,同时不影响电压监测功能的持续运行。该芯片采用高精度电压参考源,确保在不同温度和输入电压条件下都能维持±1.0%的检测精度,从而提高系统的可靠性和稳定性。
  R5009FNX支持多种固定阈值电压版本,用户可根据实际应用需求选择合适的型号,无需额外配置电阻分压网络即可完成电压检测设置,简化了电路设计并减少了外围元件数量。其输出为N沟道开漏结构,允许与不同逻辑电平的微控制器接口兼容,并可通过外接上拉电阻连接到任意电源轨。这一设计增强了系统的灵活性,尤其适合多电压域系统中的复位信号生成。
  该器件还具备良好的抗噪声能力,在电源波动或电磁干扰较强的环境中仍能稳定工作。内置的迟滞电路有效防止了在阈值附近因电压波动导致的输出抖动问题,避免误触发复位操作。复位延迟时间可通过外部电容进行调节,使得系统可以在电源建立完成后延迟一段时间再释放复位信号,确保CPU或其他数字电路有足够的时间完成初始化过程。
  R5009FNX采用DFN小型封装,尺寸仅为1.2×1.2mm,非常适合高密度贴装的印刷电路板设计。该封装还具有良好的热性能和机械强度,适用于自动化贴片生产和回流焊工艺。整体设计符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,满足现代电子产品对环保和安全的要求。

应用

R5009FNX广泛应用于各类需要电源电压监控和系统复位管理的电子设备中。在便携式消费类电子产品中,如蓝牙耳机、智能手环、电子书阅读器等,它被用作低电压报警或自动关机控制单元,以防止电池过度放电造成损坏。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC模块、远程I/O单元或传感器节点的电源监视,确保在供电异常时及时复位处理器或切断负载电源。
  在通信设备领域,R5009FNX常用于路由器、交换机或基站模块中,作为上电复位(Power-On Reset, POR)电路的一部分,保证数字信号处理器(DSP)、FPGA或MCU在电源稳定后才开始运行程序,避免因电源不稳定导致的启动失败或数据错误。此外,在汽车电子系统中,尽管其工作温度上限为+85°C,但在部分非高温区域的车载模块(如信息娱乐系统子模块或车身控制模块)中也可使用,前提是散热条件良好。
  在医疗电子设备中,如便携式血糖仪、体温计或心率监测仪,R5009FNX提供了可靠的电源状态指示功能,有助于提升设备的安全性和用户体验。同时,由于其小封装和低功耗特点,也非常适合用于可穿戴健康监测设备中,实现长时间无人值守下的自动电源管理。此外,该芯片还可用于智能家居设备、安防摄像头、无线门铃等低功耗物联网终端,作为唤醒或休眠状态切换的判断依据。

替代型号

R3111N23AA-TR-F
  R3112N30AA-TR-F
  XC6132B23MR-G

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R5009FNX参数

  • 现有数量0现货
  • 价格500 : ¥18.96974散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)840 毫欧 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 封装/外壳TO-220-3 整包