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SKM200GAH123D 发布时间 时间:2025/8/22 18:28:05 查看 阅读:8

SKM200GAH123D是一款由SEMIKRON(西门康)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块结合了IGBT和反向并联二极管,适用于需要高效能和高可靠性的工业电力电子系统。其封装设计优化了热管理和电气性能,确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  最大集电极电流(IC):200A
  工作温度范围:-40°C至150°C
  短路电流能力:典型值为400A
  导通压降(VCEsat):典型值为2.1V
  反向恢复时间(trr):典型值为180ns
  封装类型:双列直插式(DIP)
  绝缘电压:2500Vrms
  重量:约180g

特性

SKM200GAH123D具备多项优异特性,包括高电流承载能力和低导通压降,从而提高整体系统效率。模块内部采用先进的芯片技术,使得IGBT在高频率开关操作中表现出色,同时减少了开关损耗。其内置的反向并联二极管具有快速恢复特性,适用于高频率PWM控制。此外,该模块的封装设计具有良好的绝缘性能和耐久性,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。
  该模块还具备良好的热管理能力,其基板设计优化了热传导路径,有效降低了热阻,从而延长了器件的使用寿命。此外,模块的端子设计便于安装和连接,减少了安装过程中可能出现的电气接触不良问题。这种模块化设计还提高了系统的可维护性,便于更换和升级。

应用

SKM200GAH123D广泛应用于各种高功率工业设备和电力电子系统中,例如变频器、不间断电源(UPS)、工业电机驱动器和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。在这些应用中,该模块能够高效地处理高电压和大电流,同时确保系统的稳定性和可靠性。其快速开关特性和低损耗使其特别适合用于高频PWM控制的场合,从而提高系统的整体效率。
  此外,该模块还可用于电动汽车充电设备、电能质量调节装置以及焊接设备等高功率应用中。由于其优异的电气和热性能,SKM200GAH123D在这些应用中能够提供稳定的性能,并延长设备的使用寿命。

替代型号

SKM200GB123D, SKM150GA123D, FF200R12KT4

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