R3111Q331A-TR-FA 是一款由知名半导体制造商推出的高性能功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频开关场景。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备出色的电气特性和可靠性,广泛适用于各类电源管理应用。其封装形式为 TO-252(DPAK),能够有效提升散热性能和系统稳定性。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有低导通电阻的特点,能够在较高的工作频率下保持高效的能量转换。同时,其坚固的结构设计使其能够在严苛的工作环境下长期稳定运行。
型号:R3111Q331A-TR-FA
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg):29nC
输入电容(Ciss):1370pF
输出电容(Coss):48pF
反向恢复时间(trr):33ns
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
R3111Q331A-TR-FA 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可显著降低传导损耗,从而提高系统的整体效率。
2. 高速开关性能,得益于较低的总栅极电荷 Qg 和反向恢复时间 trr,使得该芯片非常适合高频应用。
3. 强大的电流承载能力,最大连续漏极电流高达 18A,确保在高负载条件下依然稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,适合各种极端环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅,满足现代电子产品对绿色环保的要求。
6. 封装形式 TO-252 提供了良好的散热性能和机械强度,进一步增强了产品的可靠性。
R3111Q331A-TR-FA 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块,例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路,用于控制各类直流无刷电机或步进电机。
3. 逆变器和 UPS 系统的核心功率元件。
4. LED 驱动器中用作高效开关器件。
5. 各类工业设备和消费电子产品的电源管理单元。
6. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备中的功率处理组件。
R3111Q331A-DIY、IRF3710、FDP16N60