SQCB7M390FAJME500是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制程工艺制造,适用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该芯片通常用于需要高效能和高可靠性的场景中,例如工业设备、消费电子以及通信基础设施等领域。
型号:SQCB7M390FAJME500
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):3.9A
导通电阻(Rds(on)):1.6Ω(典型值,在Vgs=10V条件下)
总功耗(Ptot):38W
工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃
封装形式:TO-220AC
SQCB7M390FAJME500具备多项卓越的特性,使其成为高压、大电流应用的理想选择。首先,其超低导通电阻有助于降低功率损耗,从而提高系统效率并减少发热。其次,它支持高达700V的漏源电压,能够在高压环境下稳定运行。
此外,这款MOSFET采用了优化的内部结构设计,确保了快速的开关速度,同时降低了开关损耗。器件的工作温度范围宽广,从-55℃到+150℃,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。再加上出色的电气特性和机械稳定性,使得SQCB7M390FAJME500在工业和汽车领域有着广泛的应用前景。
SQCB7M390FAJME500主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
3. 电动车充电装置及车载逆变器。
4. LED照明驱动电路中的功率调节。
5. 高压DC/DC转换器以及其他需要高效功率转换的场合。
SQCB7M390FAJME600, SQCB7M420FAJME500