时间：2025/8/14 11:52:20
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2N7002KDWH 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用。该器件由 ON Semiconductor 生产，采用小型表面贴装封装（SOT-23），适合需要高效能和小体积设计的电路。2N7002KDWH 的设计使其能够处理相对较高的电流和电压，并具有较低的导通电阻，适合用于开关和功率控制应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：60 V
栅源电压（VGS）：±20 V
漏极电流（ID）：300 mA
导通电阻（RDS(on)）：5 Ω（最大值）
功率耗散：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
2N7002KDWH 具有多个显著的电气和热特性，使其在多种电路设计中表现优异。首先，其漏源电压（VDS）为 60V，使其能够适应多种中等电压应用场景，如电源管理、负载开关和 DC-DC 转换器。其次，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，表明其栅极具有较高的电压耐受能力，这在某些复杂控制电路中非常有用。
该器件的漏极电流额定值为 300mA，虽然在功率 MOSFET 中并不算高，但在低功率应用中足够使用，例如信号切换和小电机控制。导通电阻（RDS(on)）最大为 5Ω，这在一定程度上影响了其效率，但由于其封装紧凑且价格低廉，这种性能平衡使其成为许多应用的首选。
此外，2N7002KDWH 采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合表面贴装技术（SMT）生产流程，提高了 PCB 的空间利用率。该器件的功耗额定值为 300mW，能够在不使用散热器的情况下处理适度的热量。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，显示了其良好的环境适应性和稳定性。
由于其具备较高的可靠性和耐用性，2N7002KDWH 被广泛应用于各种工业和消费类电子产品中。它不仅具备较高的开关速度，还具有较低的输入电容，这使得它在高频开关应用中表现良好。
2N7002KDWH 主要用于需要低电压、中等功率控制的电路中。它常见于电源管理系统，例如电池供电设备中的开关控制。该器件还可用于 DC-DC 转换器、负载开关、继电器驱动电路以及 LED 照明系统的控制部分。此外，在工业自动化系统中，2N7002KDWH 被用作小型电机、继电器和传感器的驱动元件。由于其表面贴装封装，它也广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理模块。
2N7002K, 2N7002E, 2N7000, BSS138
