时间：2025/9/7 6:48:11
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F2166VTE33 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点，适用于需要高效能和高稳定性的电子系统。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
F2166VTE33 具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。其高耐压特性（60V）使得该器件适用于多种中高功率应用。该 MOSFET 的封装形式为 TO-220，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。
此外，F2166VTE33 支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了更宽的控制范围，增强了在不同工作条件下的灵活性。该器件还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在高温环境下长时间运行而不发生性能退化。
由于其优异的电气性能和机械特性，F2166VTE33 被广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等场景。同时，该 MOSFET 也支持快速开关操作，有助于提高电路的响应速度并降低开关损耗。
F2166VTE33 常用于电源管理领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。此外，它还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和汽车电子系统中的功率控制电路。
IRFZ44N, FDP6030L, FDS6680, NTD4858N
