类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：73A
　　最大漏源电压：180V
　　导通电阻（Rds(on)）：约5.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷：约78nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247 或 TO-263（D2PAK）
　　最大功率耗散：约200W

TSC73-180M MOSFET 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗，提高整体能效。其次，该器件采用先进的沟槽结构设计，提高了载流子迁移效率，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，TSC73-180M 的最大漏源电压为180V，支持在高压环境中稳定运行，适用于工业电源、电机驱动和逆变器等高可靠性应用。其高栅极电荷特性意味着在开关过程中能够承受较大的瞬态电流，同时保持稳定的栅极控制性能。
　　该MOSFET具有优异的热管理能力，工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），确保在恶劣环境条件下仍可正常运行。其高功率耗散能力（约200W）也使得该器件在高功率密度设计中具有出色的性能表现。最后，TSC73-180M 提供多种封装选项（如TO-247和TO-263），方便根据电路设计需求进行安装和散热管理。

TSC73-180M 广泛应用于多种高功率和高频电子系统中。在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，提供高效能的DC-AC或DC-DC转换。在DC-DC转换器中，TSC73-180M 的低导通电阻和高开关速度使其适用于升压（Boost）和降压（Buck）拓扑结构，从而提高转换效率。
　　该器件也常用于电机驱动和逆变器系统，特别是在电动车、工业自动化和机器人控制中，作为功率输出开关，实现对电机转速和方向的精确控制。在太阳能逆变器和储能系统中，TSC73-180M 的高耐压和高可靠性使其成为理想的功率开关元件。
　　此外，该MOSFET还可用于电源管理模块、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及其他需要高功率密度和高效率的电子设备中。

SiHF73N180E、IRF73N180、FDPF73N180、FDMS7618、TK73N180