类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8

QTLP630C-IB 功率MOSFET具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为3.7mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其高电流能力（180A）使其适用于大功率应用，如高电流负载的电源开关和电机控制。
　　其次是该器件采用了先进的PowerPAK SO-8封装技术，提供了良好的热管理和电气性能，确保在高负载条件下的稳定运行。其封装设计不仅提高了散热效率，还减少了寄生电感，有助于提升开关性能。
　　此外，QTLP630C-IB的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的抗过压能力，增强了在复杂电磁环境中的可靠性。器件的工作温度范围为-55℃至+175℃，适应了宽温度范围下的应用需求，适用于工业和汽车环境。
　　最后，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提升整体系统效率。其低门极电荷（Qg）和输出电容（Coss）使其在高频开关应用中表现优异，适用于DC-DC转换器、同步整流等高频应用。

QTLP630C-IB 主要应用于高性能电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统（BMS）。其高电流能力和低导通电阻使其在高功率密度设计中尤为适用，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备以及电动车电控系统。此外，由于其优异的热稳定性和宽工作温度范围，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向控制单元。

SiSSPM65R030A, NexFET CSD17551Q5A, IPB013N06N3 G