时间：2025/8/19 17:03:14
阅读：20
MP171GS-Z 是一款由美国半导体公司 Microsemi（现为 Microchip Technology）设计和制造的高电压、高电流、N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为需要高效、高可靠性和高性能的应用而设计，适用于广泛的工业、汽车和通信系统领域。MP171GS-Z 的主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及良好的热性能，使其能够在高功率密度和高温环境下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大漏极电流（Id）：20A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
最大功耗（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C~175°C
封装类型：TO-220
晶体管配置：单N沟道
MP171GS-Z 具备多项优异的电气和热性能，适合高功率和高可靠性应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少导通损耗，从而提高整体系统效率。在功率转换和电机控制应用中，该特性尤为重要。
此外，MP171GS-Z 的最大漏源电压为150V，能够承受较高的电压应力，适用于需要高电压操作的电源和逆变器应用。其连续漏极电流能力为20A，可以在高负载条件下提供稳定的性能。
为了确保器件在高功率环境中的可靠运行，MP171GS-Z 采用了高效的封装设计（TO-220），有助于快速散热并降低热阻。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，使其适用于严苛的工业和汽车环境。
MP171GS-Z 还具备较高的抗短路能力和较强的抗过热能力，进一步增强了其在高要求场景下的可靠性。由于其增强型特性，该器件在栅极电压驱动时仅需要较小的驱动功率，降低了对驱动电路的要求，简化了系统设计。
综上所述，MP171GS-Z 凭借其低导通电阻、高耐压、高电流承载能力以及良好的热管理特性，成为许多高功率和高可靠性应用的理想选择。
MP171GS-Z 主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统中，以提高转换效率并减少热损耗。在电机控制应用中，MP171GS-Z 可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或无刷电机的高效控制。
此外，MP171GS-Z 也广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及太阳能逆变器等可再生能源系统中。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载DC-AC逆变器等应用。
由于其高耐压和高电流能力，MP171GS-Z 还可用于高功率LED照明系统、工业加热系统和大功率负载开关等应用。在这些场景中，该MOSFET可以有效降低功率损耗，提高系统整体能效和稳定性。
总的来说，MP171GS-Z 的应用范围广泛，适用于各种需要高功率密度、高效率和高可靠性的电子系统。
SiHF120-T1-E3, IRF1405, FDP18N15A, FQP18N15C
