时间：2025/9/6 23:13:16
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2SK228 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及其它功率电子设备中。该器件采用了先进的沟道MOSFET制造技术，具备较高的耐压能力和较大的导通电流能力。2SK228通常采用TO-220AB封装，适用于多种工业级应用，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDS）：500V
最大栅极电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：8A
最大耗散功率（PD）：50W
工作温度范围：-55℃～+150℃
存储温度范围：-55℃～+150℃
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：约23nC
输入电容（Ciss）：约1200pF
输出电容（Coss）：约300pF
反向恢复时间（trr）：不适用（非双极型器件）
2SK228 MOSFET具有多项优异的电气性能和物理特性，适用于多种功率转换和控制应用。首先，其高耐压能力（最大VDS为500V）使其能够在高压环境下稳定工作，非常适合用于AC-DC电源转换器或高电压DC-DC变换器中。
其次，2SK228的最大连续漏极电流可达8A，在适当的散热条件下可支持较大的负载电流，适用于中等功率的开关应用，如电机驱动、电源管理模块等。
该器件的导通电阻典型值为0.45Ω，虽然不是超低RDS(on)器件，但在当时的MOSFET产品中表现良好，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，2SK228具有较高的输入阻抗和快速的开关特性，适合用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）中的功率开关元件，能有效减小开关损耗。
其TO-220AB封装形式具备良好的散热性能，便于安装在散热片上，提高热管理能力，确保器件在高负载条件下的长期稳定性。
该器件还具备较强的抗静电能力，可在一定程度上防止因静电放电（ESD）引起的损坏，提高了使用过程中的可靠性与安全性。
最后，2SK228具有较长的市场应用历史，被广泛用于工业控制、电源设备、照明系统等场合，用户群体广泛，技术资料完备，便于设计和替换。
2SK228 MOSFET主要用于以下几种类型的电子系统和设备中：
1. 开关电源（SMPS）：作为功率开关元件，用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等电路中，实现高效的能量转换。
2. 电机控制：用于直流电机驱动电路或H桥电路中，控制电机的启停与方向，适用于自动化设备、电动工具等场景。
3. 电源管理模块：如负载开关、电源分配系统、电池管理系统等，用于实现高效的电能控制与分配。
4. 照明系统：如电子镇流器、LED驱动器等，用于控制照明设备的电流与功率。
5. 工业控制设备：用于PLC、继电器驱动、变频器等工业自动化设备中，实现对高电压或大电流负载的控制。
6. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，作为关键的功率开关元件，负责将直流电转换为交流电输出。
2SK1358, 2SK1530, IRFBC20, IRF840, 2SK2698
