2SK228 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及其它功率电子设备中。该器件采用了先进的沟道MOSFET制造技术,具备较高的耐压能力和较大的导通电流能力。2SK228通常采用TO-220AB封装,适用于多种工业级应用,具有良好的热稳定性和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(VDS):500V
最大栅极电压(VGS):±30V
最大连续漏极电流(ID):8A
最大耗散功率(PD):50W
工作温度范围:-55℃~+150℃
存储温度范围:-55℃~+150℃
导通电阻(RDS(on)):典型值0.45Ω @ VGS = 10V
栅极电荷(Qg):约23nC
输入电容(Ciss):约1200pF
输出电容(Coss):约300pF
反向恢复时间(trr):不适用(非双极型器件)
2SK228 MOSFET具有多项优异的电气性能和物理特性,适用于多种功率转换和控制应用。首先,其高耐压能力(最大VDS为500V)使其能够在高压环境下稳定工作,非常适合用于AC-DC电源转换器或高电压DC-DC变换器中。
其次,2SK228的最大连续漏极电流可达8A,在适当的散热条件下可支持较大的负载电流,适用于中等功率的开关应用,如电机驱动、电源管理模块等。
该器件的导通电阻典型值为0.45Ω,虽然不是超低RDS(on)器件,但在当时的MOSFET产品中表现良好,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
此外,2SK228具有较高的输入阻抗和快速的开关特性,适合用于高频开关电路,如开关电源(SMPS)中的功率开关元件,能有效减小开关损耗。
其TO-220AB封装形式具备良好的散热性能,便于安装在散热片上,提高热管理能力,确保器件在高负载条件下的长期稳定性。
该器件还具备较强的抗静电能力,可在一定程度上防止因静电放电(ESD)引起的损坏,提高了使用过程中的可靠性与安全性。
最后,2SK228具有较长的市场应用历史,被广泛用于工业控制、电源设备、照明系统等场合,用户群体广泛,技术资料完备,便于设计和替换。
2SK228 MOSFET主要用于以下几种类型的电子系统和设备中:
1. 开关电源(SMPS):作为功率开关元件,用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等电路中,实现高效的能量转换。
2. 电机控制:用于直流电机驱动电路或H桥电路中,控制电机的启停与方向,适用于自动化设备、电动工具等场景。
3. 电源管理模块:如负载开关、电源分配系统、电池管理系统等,用于实现高效的电能控制与分配。
4. 照明系统:如电子镇流器、LED驱动器等,用于控制照明设备的电流与功率。
5. 工业控制设备:用于PLC、继电器驱动、变频器等工业自动化设备中,实现对高电压或大电流负载的控制。
6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中,作为关键的功率开关元件,负责将直流电转换为交流电输出。
2SK1358, 2SK1530, IRFBC20, IRF840, 2SK2698