QS6M4TR
时间:2023/5/10 11:42:43
阅读:378
概述
制造商:ROHMSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:Dual
晶体管极性:NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.26Ohms
汲极/源极击穿电压:+30V,-20V
闸/源击穿电压:+/-12V
漏极连续电流:1.5A
功率耗散:1.25W
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSMT-6
封装:Reel
StandardPackQty:3000
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QS6M4TR参数
- 产品培训模块MOSFETs
- 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭FET - 阵列
- 系列-
- FET 型N 和 P 沟道
- FET 特点逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)30V,20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs1.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
- 功率 - 最大1.25W
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商设备封装TSMT6
- 包装带卷 (TR)