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QS6M4TR 发布时间 时间:2023/5/10 11:42:43 查看 阅读:389

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ROHMSemiconductor

产品种类:MOSFET小信号

RoHS:是

配置:Dual

晶体管极性:NandP-Channel

电阻汲极/源极RDS(导通):0.26Ohms

汲极/源极击穿电压:+30V,-20V

闸/源击穿电压:+/-12V

漏极连续电流:1.5A

功率耗散:1.25W

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:TSMT-6

封装:Reel

StandardPackQty:3000

资料

厂商
ROHM Semiconductor

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QS6M4TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V,20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds80pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装TSMT6
  • 包装带卷 (TR)