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H5TQ1G63BFR-H9C 发布时间 时间:2025/5/22 2:41:38 查看 阅读:3

H5TQ1G63BFR-H9C 是一款由海力士(SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,采用Toggle DDR接口技术。这款芯片主要应用于需要大容量存储和高速数据传输的设备中,例如固态硬盘(SSD)、U盘、记忆卡以及嵌入式系统等。其制造工艺先进,具备高可靠性和低功耗的特点。

参数

容量:512Gb
  接口类型:Toggle DDR 3.0
  电压:1.8V
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  数据传输速率:最高可达 400MT/s

特性

H5TQ1G63BFR-H9C 使用了先进的制程技术,提供了更高的存储密度和更快的数据读写速度。它支持强大的错误检测与纠正功能(ECC),从而确保数据的完整性与可靠性。此外,该芯片具有较低的工作电压,有助于减少功耗,非常适合对能耗敏感的应用场景。
  其Toggle DDR接口设计可以实现高效的双倍数据速率传输,满足现代设备对快速响应的需求。同时,它在极端温度条件下的稳定表现也使其适用于工业和汽车领域。

应用

H5TQ1G63BFR-H9C 广泛应用于消费电子和工业设备中,包括但不限于固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、microSD卡以及其他需要高性能存储解决方案的场合。此外,由于其出色的耐温性能,该芯片也被用于汽车电子系统、监控录像设备以及各种嵌入式计算平台。

替代型号

H5TC1G63CMR-PBC, H5TC1G63AFR-KBC

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