类型：CMOS DRAM
　　容量：256 Kbit (32K x 8)
　　组织结构：32,768 字 x 8 位
　　电源电压：5V ±10%
　　访问时间：15 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：28-pin DIP 或 SOJ
　　刷新周期：典型值为15.6 μs（每行）
　　数据保持电压：最小2V
　　/RAS 到 /CAS 延迟（tRCD）：最大 55ns
　　CAS 先于 RAS 刷新（CBR）支持：是
　　待机功耗：典型值为 80 mW
　　工作功耗：典型值为 320 mW

M5M4256S-15具备多项关键特性，使其在当时的存储器市场中具有竞争力。首先，其采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，相较于早期的NMOS DRAM，在空闲或待机状态下电流消耗更小，有助于提升系统整体能效。这对于早期便携式设备或对散热有要求的应用尤为重要。其次，该芯片支持标准的异步控制协议，使用/RAS、/CAS、/WE（写使能）和/OE（输出使能）等独立控制信号，使得其能够灵活地集成到多种微处理器系统中，兼容Intel 8086、Zilog Z80、Motorola 68000等主流CPU架构。这种非同步设计简化了时序控制逻辑，降低了系统设计复杂度。
　　第三，M5M4256S-15集成了片上地址多路复用功能，允许通过分时传送行地址和列地址来减少引脚数量，从而降低封装成本和PCB布线难度。例如，仅需8位地址线即可寻址全部32K行和32K列（实际使用A0-A14共15位地址线）。此外，该器件支持两种刷新模式：RAS-only刷新和CAS-before-RAS（CBR）刷新，其中CBR模式允许利用/CAS信号在正常操作间隙自动触发刷新，减轻了CPU或DMA控制器在刷新管理上的负担，提高了系统效率。
　　再者，该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，在宽温范围内（0°C至+70°C）均可稳定运行，适用于工业级环境。其15ns的快速访问时间在当时属于高性能级别，能够满足高速处理器的数据吞吐需求。同时，器件内部集成Sense Amplifier（感应放大器）和刷新计数器辅助电路，确保数据读取准确性和刷新操作的可靠性。最后，M5M4256S-15遵循JEDEC标准接口规范，保证了与其他厂商同类产品的互换性，增强了系统的可维护性和扩展能力。这些综合特性使其成为那个时代广泛应用的核心存储组件之一。

M5M4256S-15主要用于需要中等容量、低成本动态存储器的电子系统中。典型应用包括早期个人计算机（如IBM PC/AT兼容机）的主内存模块，特别是在386或早期486时代的小容量内存条中常见其身影。此外，它也广泛用于各类工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床（CNC）系统和自动化仪表，用于临时存储运行数据、程序缓存和I/O缓冲信息。在通信领域，该芯片曾被用于传真机、调制解调器（Modem）和小型交换机中，作为帧缓冲或协议处理的中间存储单元。
　　另外，由于其异步接口简单、易于驱动，M5M4256S-15也被用于许多嵌入式控制系统，例如医疗设备、测试仪器和消费类电子产品（如高端电视、音响系统）中需要较大RAM空间但受限于成本的设计场景。在军事和航空航天领域的一些老旧设备中，该芯片因经过长期验证而具备高可靠性记录，仍在部分维修备件中使用。此外，现代复古计算爱好者常使用此类芯片重建经典计算机系统，如复刻Apple II、Commodore 64或早期Sun工作站，以实现原汁原味的硬件体验。教育机构也利用这类DRAM进行计算机体系结构和存储器原理的教学实验，帮助学生理解地址多路复用、刷新机制和基本读写时序等核心概念。虽然当前已被SDRAM、DDR等高速同步内存取代，但在特定维护和历史还原场景中依然具有实用价值。

IS42S256-15
　　MCM4256BP-15
　　CY7C256-15