时间：2025/12/17 15:48:13
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QMK316B7104MLHT是一种基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为高效率、高功率密度的应用而设计。该器件采用了先进的封装工艺，具备出色的热性能和电气性能，适用于射频功率放大器和其他高频电路中。其工作频率范围广，能够满足现代通信系统对高性能的需求。
该型号中的具体参数和特性使其非常适合用于雷达系统、无线通信基站以及卫星通信等应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：20A
输出功率：10W
增益：15dB
频率范围：800MHz-4GHz
导通电阻：0.1Ω
封装形式：TO-263
工作温度范围：-55℃至+125℃
QMK316B7104MLHT具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：可承受高达100V的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 高电流处理能力：支持连续漏极电流达20A，适合大功率应用。
3. 宽带操作：频率范围覆盖800MHz到4GHz，适用于多种通信频段。
4. 低导通电阻：仅为0.1Ω，有效降低功耗并提升效率。
5. 良好的热管理：采用高效散热的TO-263封装，增强器件的可靠性。
6. 高增益：提供15dB的增益，保证信号强度。
7. 宽温度范围：能够在-55℃至+125℃的环境中正常工作，适应极端条件下的使用需求。
QMK316B7104MLHT主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：可用于无线通信基站、雷达系统及卫星通信等领域。
2. 高效功率转换：适用于电源管理、DC-DC转换器以及其他高频功率转换设备。
3. 工业与医疗设备：如超声波设备、激光器驱动器等需要高功率输出的场景。
4. 军事与航空航天：因其优异的性能和可靠性，被广泛用于国防和航空电子系统。
5. 新能源领域：包括太阳能逆变器、电动汽车充电装置等对效率要求较高的场合。
QMK316B7104MLHTE,QMK316B7104MLHTF
