时间：2025/8/25 5:54:07
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FDW2506P_NL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适用于电源管理和 DC-DC 转换器等应用。该封装为 TO-220，适合高功率应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压 Vds：250V
栅源电压 Vgs：±30V
连续漏极电流 Id：6A
导通电阻 Rds(on)：典型值 1.8Ω（最大 2.4Ω）
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-220
FDW2506P_NL 具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其最大漏源电压为 250V，适用于中高功率应用。其次，其导通电阻较低，在 10V 栅极驱动电压下典型值为 1.8Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的连续漏极电流为 6A，能够在中等电流负载下稳定运行。其 TO-220 封装具有良好的散热性能，适合在需要高功率耗散的应用中使用。FDW2506P_NL 还具备较强的抗雪崩能力和良好的热稳定性，提高了器件的可靠性和耐用性。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于提升开关速度并降低开关损耗，使其在高频开关电源中表现良好。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如 10V），便于与常见的 PWM 控制器配合使用。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种环境条件下的运行需求。TO-220 封装结构简单，易于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子产品。
FDW2506P_NL 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中表现出色。由于其具备较低的导通电阻和较高的耐压能力，该器件常用于反激式和正激式转换器拓扑中，作为主开关元件。此外，它也适用于电机控制、LED 驱动器、电池充电器和电源管理系统等应用场景。在工业自动化和家电控制电路中，FDW2506P_NL 可用于实现高效的功率控制和转换。由于其具备良好的热稳定性和较高的可靠性，该 MOSFET 也适用于需要长时间稳定运行的嵌入式系统和工业设备中。
FDP2506N, IRF740, FQP25N25
