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H5GQ4H24MFR-R0C 发布时间 时间:2025/9/1 13:04:21 查看 阅读:8

H5GQ4H24MFR-R0C 是一款由SK hynix(海力士)制造的高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)模块,属于第三代HBM技术(HBM2或HBM2E)。这种类型的内存模块主要用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器以及高端网络设备中,以提供极高的数据传输速率和存储带宽。该模块采用3D堆叠封装技术,通过硅通孔(TSV)实现多层DRAM芯片的垂直互联,从而大幅提高内存带宽并减少功耗。

参数

容量:4GB - 8GB(根据具体型号)
  带宽:约307GB/s - 460GB/s
  接口:HBM2/HBM2E
  电压:1.3V - 1.2V(根据具体版本)
  封装形式:3D堆叠,TSV技术
  时钟频率:1000MHz - 1600MHz
  数据速率:2.4Gbps - 3.6Gbps per pin
  通道数:每模块256位宽,分为多个独立通道

特性

H5GQ4H24MFR-R0C 的主要特性包括极高的内存带宽、低功耗设计、小尺寸封装以及多通道架构。其高带宽特性使其非常适合用于需要大量数据吞吐的应用场景,例如深度学习训练、图形渲染和科学计算。此外,采用硅通孔(TSV)技术使得内存模块可以在较小的物理空间内实现更高的性能,同时降低信号延迟和功耗。该模块还支持多通道操作,允许独立访问不同的内存区域,从而提高系统的并行处理能力。其紧凑的设计也使其成为空间受限应用的理想选择。

应用

H5GQ4H24MFR-R0C 主要应用于高性能计算平台、AI加速卡、高端GPU、网络交换设备以及需要高带宽内存支持的嵌入式系统。在图形处理领域,它可以为复杂的游戏和渲染应用提供强大的内存支持;在AI领域,它能够满足深度学习训练和推理过程中对大量数据处理的需求;在数据中心和云计算环境中,该模块也有助于提升整体系统的性能与效率。

替代型号

H5GQ4H24AFR-R0C, H5GQ4H24MJR-R0C, H5GS4H24MFR-R0C

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