时间：2025/9/1 13:04:21
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H5GQ4H24MFR-R0C 是一款由SK hynix（海力士）制造的高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）模块，属于第三代HBM技术（HBM2或HBM2E）。这种类型的内存模块主要用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器以及高端网络设备中，以提供极高的数据传输速率和存储带宽。该模块采用3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV）实现多层DRAM芯片的垂直互联，从而大幅提高内存带宽并减少功耗。
容量：4GB - 8GB（根据具体型号）
带宽：约307GB/s - 460GB/s
接口：HBM2/HBM2E
电压：1.3V - 1.2V（根据具体版本）
封装形式：3D堆叠，TSV技术
时钟频率：1000MHz - 1600MHz
数据速率：2.4Gbps - 3.6Gbps per pin
通道数：每模块256位宽，分为多个独立通道
H5GQ4H24MFR-R0C 的主要特性包括极高的内存带宽、低功耗设计、小尺寸封装以及多通道架构。其高带宽特性使其非常适合用于需要大量数据吞吐的应用场景，例如深度学习训练、图形渲染和科学计算。此外，采用硅通孔（TSV）技术使得内存模块可以在较小的物理空间内实现更高的性能，同时降低信号延迟和功耗。该模块还支持多通道操作，允许独立访问不同的内存区域，从而提高系统的并行处理能力。其紧凑的设计也使其成为空间受限应用的理想选择。
H5GQ4H24MFR-R0C 主要应用于高性能计算平台、AI加速卡、高端GPU、网络交换设备以及需要高带宽内存支持的嵌入式系统。在图形处理领域，它可以为复杂的游戏和渲染应用提供强大的内存支持；在AI领域，它能够满足深度学习训练和推理过程中对大量数据处理的需求；在数据中心和云计算环境中，该模块也有助于提升整体系统的性能与效率。
H5GQ4H24AFR-R0C, H5GQ4H24MJR-R0C, H5GS4H24MFR-R0C
