QM76018E2.6TR7X 时间：2025/8/15 16:59:01 阅读：7

QM76018E2.6TR7X 是一款由 Qorvo 公司推出的高性能射频（RF）功率晶体管，采用先进的 GaN（氮化镓）半导体技术制造。该器件适用于高频、高功率的应用场景，例如无线基站、雷达系统和测试设备等。QM76018E2.6TR7X 的工作频率范围覆盖 2.3 GHz 至 2.7 GHz，提供高效率和高线性度的性能，使其成为 4G/5G 通信系统中的理想选择。这款晶体管采用表面贴装封装，具有紧凑的设计，便于集成到现代射频系统中。

参数

制造商：Qorvo
　　产品类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN（氮化镓）
　　工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：18 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：60% 以上（典型值）
　　封装类型：表面贴装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

QM76018E2.6TR7X 的核心特性包括其基于 GaN 技术的高功率密度和高能效表现。该器件能够在 2.3 GHz 到 2.7 GHz 的频率范围内提供高达 18 W 的输出功率，非常适合现代无线通信系统中对高带宽和高频段的需求。其典型增益为 20 dB，确保了信号放大过程中的高线性度和稳定性。此外，该晶体管的效率超过 60%，显著降低了功耗，同时减少了散热需求，从而提高了系统的整体可靠性。
　　该器件采用表面贴装封装，支持自动化的生产和装配流程，提高了生产效率和系统集成的灵活性。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境下的运行。QM76018E2.6TR7X 还具备优异的热管理性能，能够长时间稳定运行，适用于高要求的工业和通信应用。

应用

QM76018E2.6TR7X 主要应用于无线通信基础设施，如 4G 和 5G 基站、微波通信系统以及雷达和测试设备。由于其高功率密度和优异的线性度，该器件特别适合用于多载波功率放大器（MCPA）和数字预失真（DPD）系统，以满足高速数据传输和低延迟的需求。此外，它还适用于宽带无线接入（BWA）和广播卫星系统，提供稳定的射频信号放大能力。