时间：2025/5/20 19:02:34
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IRFR13N20DCPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道晶体管。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其额定电压为 200V，适合用于工业控制、电源转换以及电机驱动等应用场合。
该器件优化了动态性能和静态性能之间的平衡，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，适用于要求严苛的工作环境。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
栅极电荷：12nC
总电容：780pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IRFR13N20DCPBF 使用了先进的沟槽 MOSFET 技术，从而实现了较低的导通电阻和更高的效率。同时，其优化的封装设计有助于提升散热性能，并且具备较高的可靠性和稳定性。
该器件支持快速开关操作，可显著减少开关损耗。其坚固的结构设计使其能够在极端温度条件下正常工作，确保在各种工业应用中的高效表现。
另外，该产品符合 RoHS 标准，环保友好，适用于需要绿色解决方案的设计。
IRFR13N20DCPBF 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动器
3. 逆变器与变频器
4. 负载切换
5. DC-DC 转换器
6. 家用电器中的功率控制
由于其高耐压能力和高效的开关性能，这款 MOSFET 在中等功率范围内的应用尤为突出。
IRFR13N20D,
IRFR13N20,
STP10NK20Z
