类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：41A
　　漏极功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.044Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220AB

IRFB41N15D 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得它在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。其最大漏源电压（Vds）为 150V，允许其在中高压功率转换电路中使用，如电源适配器、DC-DC 转换器和电机驱动系统。
　　该器件支持高达 41A 的连续漏极电流，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。其封装形式为 TO-220AB，具备良好的热传导性能，便于散热器安装，从而提高长期工作的稳定性与可靠性。
　　IRFB41N15D 的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保在各种控制电路中都能安全运行，同时具备较强的抗干扰能力。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频工作环境。
　　此外，该 MOSFET 内部结构优化，具备较高的耐用性和抗短路能力，适合在工业级应用中长期运行。其广泛应用于电源管理、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备以及各种高功率电子控制系统中。
　　从封装角度看，TO-220AB 是一种常见的三引脚功率封装，易于在 PCB 上安装和焊接，同时支持通孔插装工艺，适合大批量生产。

IRFB41N15D 广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、工业自动化设备以及电动车充电模块等。
　　由于其低导通电阻和优异的热管理性能，IRFB41N15D 非常适合用于高效率电源转换系统，例如服务器电源、电信电源模块以及高功率 LED 驱动器。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统。
　　此外，该器件也常用于工业控制和自动化设备中的负载开关和功率调节模块，确保系统在高负载下依然稳定运行。

IRF1405, IRF3710, IRFB30N20D, IRFB4110, SiHF41N15E