时间：2025/5/8 10:00:05
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IRFR320TR 是一款由英飞凌（Infineon）制造的 N 沤道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效率和低导通损耗的场景。这款器件采用了 TO-264 封装，具有出色的电气性能和耐用性。其设计适用于多种工业、汽车及消费电子应用领域。
型号：IRFR320TR
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-264
VDS（漏源极电压）：55V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.6mΩ（在 VGS=10V 时）
最大电流（ID）：198A
栅极电荷（Qg）：70nC
功耗：280W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRFR320TR 的主要特点是其超低的导通电阻 RDS(on)，仅为 1.6mΩ（当栅极驱动电压为 10V 时）。这使得它非常适合于大电流开关应用，并能够显著降低导通损耗。此外，该器件具备高雪崩能力，确保了在过载条件下的稳定性。
其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，同时提高整体系统效率。由于采用 TO-264 封装，这种 MOSFET 还拥有良好的散热性能，适合长时间高负荷运行。
该器件还符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业对绿色产品的要求。
IRFR320TR 主要应用于高功率转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及其他需要高效功率管理的场合。它的低导通电阻使其成为 DC/DC的理想选择。此外，它在电池管理系统（BMS）以及电动工具的驱动电路中也有广泛应用。
得益于其高可靠性与耐高温性能，IRFR320TR 在汽车电子领域同样表现优异，例如用于发动机控制单元或车载充电器等关键组件中。
IRFP260N, STP170N5F5, FDP18N55
