HM5118160J6 时间：2025/9/7 17:58:26 阅读：4

HM5118160J6 是一款由Hynix（现代半导体）制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高速CMOS技术，提供较高的数据存取速度和稳定性，适用于需要快速存储和读取数据的应用场景。HM5118160J6的存储容量为256Kbit（16K x 16），属于低功耗、高速度的SRAM芯片，广泛用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和网络设备等领域。

参数

容量：256Kbit (16K x 16)
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：标准TSOP封装
　　最大工作频率：约185MHz
　　数据保持电压：≥ 3.3V
　　输出使能时间：约3.5ns
　　写入脉冲宽度：最小4ns

特性

HM5118160J6 SRAM芯片具备多项优异特性，使其适用于多种高性能存储应用。首先，该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，使其在保持低功耗的同时实现高速存取能力。其5.4ns的访问时间确保了在高频系统中的稳定运行，适用于高速缓存、图形处理和实时数据缓冲等需求。
　　其次，该芯片支持异步操作，具有独立的地址和数据总线，使得系统设计更加灵活。其54引脚TSOP封装不仅节省空间，还提高了散热性能，适合在紧凑型电子设备中使用。

应用

HM5118160J6 SRAM芯片主要应用于需要高速存储和低延迟响应的电子系统中。常见应用包括工业控制设备、路由器和交换机、嵌入式处理器系统、图形加速器、实时数据缓冲器、网络通信设备等。此外，该芯片还可用于测试设备、测量仪器以及高性能消费类电子产品中的缓存存储器。由于其工业级温度范围和高可靠性，特别适用于需要长时间稳定运行的工业和通信基础设施。