S10K250 时间：2025/7/25 17:10:47 阅读：39

S10K250 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，例如电源转换器、电机控制和电池管理系统等。S10K250 的设计确保了在高电流和高电压环境下依然能够保持较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的效率。其封装形式通常为 TO-220 或者 TO-262，方便在各种电路设计中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：约 7.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-262

特性

S10K250 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力（80A 连续漏极电流）使其适用于高功率密度的设计。该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了器件的可靠性和使用寿命。S10K250 还具备快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 ±20V 范围内工作，提供了更大的设计灵活性。此外，S10K250 采用了先进的平面技术，确保了器件在高电压和高电流条件下的稳定性能。其封装形式（TO-220 和 TO-262）提供了良好的散热性能，适合需要高功率耗散的应用。

应用

S10K250 广泛应用于各种电力电子系统中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。在这些应用中，S10K250 能够提供高效的功率开关功能，减少能量损耗并提高系统的整体效率。它也常用于电动汽车的电力管理系统、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统中。