QM25008TR13-5K 时间：2025/8/16 3:20:04 阅读：16

QM25008TR13-5K 是一款由Qorvo公司推出的射频功率晶体管，属于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）类别。这款器件专为高功率射频应用设计，例如在工业、科学和医疗（ISM）频段、广播设备、雷达系统以及测试仪器中使用。QM25008TR13-5K以其高效率、高输出功率和宽工作频率范围而闻名，适合需要高可靠性和高性能的应用场景。

参数

器件类型：GaN HEMT射频功率晶体管
　　工作频率：DC至3.5 GHz
　　输出功率：典型值为250 W（脉冲模式）
　　漏极电压：最大65 V
　　栅极电压：-5 V至+3 V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：金属陶瓷封装
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：超过70%（典型值）

特性

QM25008TR13-5K的最大特点之一是其基于氮化镓（GaN）技术的高功率密度，这使得该器件能够在相对较小的封装中提供极高的输出功率。氮化镓技术还赋予该晶体管较高的电子迁移率，从而实现高频操作和快速开关特性。该器件的宽工作频率范围（DC至3.5 GHz）使其适用于多种射频应用。
　　此外，QM25008TR13-5K具有高效率特性，通常超过70%，这在高功率应用中至关重要，因为它可以显著降低功耗和散热需求。该器件的增益典型值为20 dB，确保了信号放大能力的稳定性。同时，其金属陶瓷封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于高可靠性环境。

应用

QM25008TR13-5K被广泛应用于需要高功率和高频率的射频系统中。例如，在工业、科学和医疗（ISM）频段中，该器件可用于射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和材料处理。在通信领域，它适用于广播设备中的射频放大器，特别是在FM和TV广播发射机中。此外，该器件还用于雷达系统、测试设备和测量仪器，提供高稳定性和高性能的射频输出。