RLP03N06CLE 时间：2025/12/29 15:04:29 阅读：11

RLP03N06CLE 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机驱动、负载开关等需要高效功率控制的场合。RLP03N06CLE 采用紧凑型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，并支持较高的工作温度，适用于工业级应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：100 A（在 TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.2 mΩ（最大值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：Housing Type: TO-252（DPAK）
　　功率耗散（PD）：80 W
　　输入电容（Ciss）：约 1800 pF（典型值，VDS=25V）

特性

RLP03N06CLE 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了 ROHM 的先进沟槽栅技术，使电流在导通状态下的流动更加顺畅，从而显著减少导通损耗。此外，RLP03N06CLE 的最大漏源电压为 60V，适用于多种中低压功率转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
　　该 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流（在 TC=25°C 下），能够承受较大的负载电流，适合用于高功率密度的设计。同时，其最大栅源电压为 ±20V，允许在较高电压下驱动，确保稳定的导通状态，同时避免栅极过压损坏的风险。
　　RLP03N06CLE 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺（SMT），提高了 PCB 布局的灵活性和生产效率。此外，该器件的工作温度范围较宽，支持从 -55°C 到 150°C 的环境温度，满足工业级和汽车级应用的需求。
　　为了提升系统的稳定性和可靠性，RLP03N06CLE 还具备较低的输入电容（Ciss），有助于减少开关过程中的驱动损耗，提高开关速度。该特性对于高频开关电源和电机驱动应用尤为重要。

应用

RLP03N06CLE 主要应用于各类功率电子系统中，例如：
　　1. **DC-DC 转换器**：作为同步整流器或主开关，实现高效的电压转换，适用于通信电源、服务器电源和工业电源模块；
　　2. **负载开关电路**：用于控制电源通断，保护系统免受过载或短路影响；
　　3. **电机驱动**：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机控制中作为功率开关，实现高效和快速响应的电机控制；
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制和保护电路；
　　5. **汽车电子**：如车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统等，满足汽车级可靠性要求；
　　6. **工业自动化设备**：用于工业电机驱动、PLC 控制系统和智能电表等场合。