类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IO）：5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压（VF）：620mV @ 5A, 150°C
　　最大反向漏电流（IR）：250μA @ 100V, 125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：40°C/W（典型值，PCB板上）
　　封装：PowerDI5 2×3
　　安装类型：表面贴装（SMD）

PDS5100Q-13D的核心优势在于其低正向压降与高效率能量转换能力。该器件在5A电流下，典型正向压降仅为620mV，即使在高温条件下也能保持较低的导通损耗，显著提高电源系统的整体能效。这种低VF特性源于其采用先进的肖特基势垒技术，结合优化的金属-半导体接触工艺，有效减少了载流子复合带来的能量损失。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，通常小于5ns，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），从而大幅降低了高频开关过程中的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其特别适用于高频工作的DC-DC变换器和同步整流辅助电路。
　　该器件具备良好的热稳定性与长期可靠性。其PowerDI5 2×3封装采用铜夹片连接（Copper Clip Bonding）技术，相比传统金线键合方式，显著降低了内部电阻和热阻，提升了电流承载能力和散热效率。实测热阻RθJA约为40°C/W，在同等功耗下发热量更低，有助于延长器件寿命并减少额外散热措施的需求。此外，该封装体积小巧（约2.3mm × 3.0mm × 0.95mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局。
　　PDS5100Q-13D还具备较强的抗浪涌能力，可承受高达50A的峰值非重复浪涌电流（8.3ms半正弦波），确保在电源启动或负载突变时仍能安全运行。其反向漏电流控制良好，在125°C高温环境下最大仅为250μA，避免因漏电增加而导致系统功耗上升或误动作。综合来看，该器件在效率、热性能、可靠性和封装尺寸之间实现了优良平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。

PDS5100Q-13D广泛应用于各类需要高效整流与快速响应的电力电子系统中。典型应用场景包括笔记本电脑、台式机主板及服务器中的多相DC-DC降压转换器，用于实现高效的输出整流和续流功能。在适配器和充电器领域，尤其是USB PD快充电源中，该器件可用于次级侧整流，替代传统硅二极管以提升效率并减小发热。其高频特性也使其适用于光伏逆变器、LED驱动电源以及工业电源模块中的箝位和保护电路。
　　在通信设备电源单元（如PoE供电模块）中，PDS5100Q-13D可用于防止反向电流流动并提供快速响应保护。此外，其高浪涌承受能力使其适合用于电机驱动电路中的续流路径，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护主开关器件（如MOSFET或IGBT）。在汽车电子系统中，尽管该器件未专门标定为AEC-Q101认证产品，但在非动力域的车载信息娱乐系统或辅助电源中仍有应用潜力，尤其是在关注小型化和散热性能的设计中。
　　得益于其表面贴装封装形式，PDS5100Q-13D支持自动化回流焊工艺，适用于大规模生产制造。其绿色封装材料和无卤素设计也符合欧盟RoHS指令要求，适用于出口型电子产品。总体而言，任何追求高效率、小体积和高可靠性的电源拓扑结构均可考虑采用此器件进行优化设计。

SBT5100-13-F
　　MBR5100U
　　VS-5100SC-M3/5AT
　　SD5100L-HF
　　DMK5100S010T1G