QM13112ATR13-5K 是一款高性能的射频(RF)开关集成电路,广泛用于通信系统和射频前端模块。这款器件由Qorvo公司生产,属于其广泛的射频组件产品线的一部分。QM13112ATR13-5K采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具备高线性度、低插入损耗和高隔离度等优点,使其适用于多频段无线通信设备。
类型:射频开关
工艺技术:GaAs
频率范围:800 MHz至2.5 GHz
插入损耗:典型值0.4 dB
隔离度:典型值25 dB
工作电压:3.3 V至5.0 V
控制电压:1.8 V至5.0 V
封装类型:TQFN
工作温度范围:-40°C至+85°C
QM13112ATR13-5K是一款高性能的单刀双掷(SPDT)射频开关IC,具有出色的电气性能和可靠性。其工作频率范围覆盖800 MHz至2.5 GHz,适用于蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他无线连接应用。该器件的插入损耗非常低,典型值为0.4 dB,确保信号传输的高效性。同时,其隔离度高达25 dB,有效减少信号干扰和串扰。QM13112ATR13-5K支持3.3 V至5.0 V的宽工作电压范围,使其适用于多种电源配置。此外,该器件的控制电压兼容1.8 V至5.0 V,方便与各种数字控制器接口。该IC采用紧凑的TQFN封装,适合高密度PCB布局,并支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围,确保在各种环境条件下的稳定运行。
QM13112ATR13-5K还具备良好的线性度和功率处理能力,能够承受高达+30 dBm的输入功率,适用于高功率射频应用。其快速切换时间也使其适用于动态频率切换和多频段操作。
该器件广泛应用于无线基础设施、蜂窝基站、Wi-Fi接入点、物联网(IoT)设备、RFID系统和测试测量设备中。其高可靠性和低损耗特性使其成为多频段通信系统中的理想选择。
HMC649ALC4B, PE42592, RF1218