时间：2025/6/6 12:09:05
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GA1206A561GXCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、快速开关速度以及高效率的特点。
这款芯片特别适用于需要高效能和低损耗的应用场合，例如适配器、充电器、工业电源以及各种消费类电子产品中的功率转换模块。
型号：GA1206A561GXCBR31G
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：56A
f(max)（最大工作频率）：2MHz
Qg（栅极电荷）：28nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V
Tj（结温范围）：-55℃ 至 175℃
GA1206A561GXCBR31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效降低功率损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 较小的栅极电荷 Qg，能够减少驱动损耗。
4. 宽广的工作温度范围，适应恶劣的工作条件。
5. 高可靠性设计，确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，提供高效的功率转换。
2. 各种 DC-DC 转换器电路，如降压或升压转换器。
3. 电机驱动控制，用于家用电器和工业设备。
4. 充电器和适配器设计，支持快充技术。
5. 汽车电子系统中的负载开关和电源管理。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
GA1206A561GXCR31G, IPB014N06N3_G0, FDP014N06S
