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FQB60N03S 发布时间 时间:2025/7/9 9:25:51 查看 阅读:18

FQB60N03S 是一款 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)的 Fast Recovery 系列。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。其封装形式通常为 TO-252(DPAK),能够提供出色的热性能和电气性能。
  该 MOSFET 的最大额定电压为 30V,适合作为低压应用中的功率开关元件。通过优化设计,它能够在高频条件下保持较低的损耗,从而提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:4nC(典型值)
  输入电容:125pF(典型值)
  总功耗:90W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FQB60N03S 提供了低导通电阻以减少传导损耗,同时具备快速开关能力,可以有效降低开关损耗。
  该器件具有良好的雪崩耐量和热稳定性,确保在异常条件下的可靠运行。
  其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
  FQB60N03S 的低栅极电荷和输入电容使得驱动电路更加高效,降低了驱动功耗。
  此外,该 MOSFET 在不同温度范围内均能保持稳定的电气性能,适用于各种工业及消费类电子场景。

应用

FQB60N03S 广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 工业自动化设备中的功率调节
  6. 消费类电子产品中的负载切换
  由于其出色的高频性能和低损耗特性,该器件特别适合于要求高效率和高可靠性的应用场景。

替代型号

FDP5800, IRFZ44N, AO3400A

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