IXSFH26N50Q 时间：2025/8/6 4:02:24 阅读：26

IXSFH26N50Q 是一款由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的硅技术制造，具备优异的导通电阻和开关特性，适用于工业电源、电机控制、电源管理和新能源系统等领域。该 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为 500V，连续漏极电流（ID）可达 26A，具有较高的功率处理能力。

参数

漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：26A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：175W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXSFH26N50Q 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流工作时的低功耗，从而提高系统效率。其次，该 MOSFET 具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适合高频开关应用。此外，其高耐压能力（500V VDS）使其适用于高压电源和电机控制等严苛环境。该器件的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，有助于在高功率条件下保持稳定运行。同时，IXSFH26N50Q 在极端温度下仍能保持稳定性能，适应工业级工作环境（-55°C 至 +150°C）。
　　另外，该 MOSFET 内置防静电保护结构，增强了器件在操作和安装过程中的可靠性。IXYS 还在设计中优化了热阻特性，使其在高负载条件下不易发生热失效，延长了使用寿命。综合来看，IXSFH26N50Q 是一款适用于多种高功率电子系统的高性能功率开关器件。

应用

IXSFH26N50Q 主要应用于需要高电压和大电流处理能力的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主功率开关，负责控制电流的通断，从而实现高效能的能量转换和管理。此外，其优异的开关特性和低导通电阻也使其成为高频电源转换器和高效能 DC-DC 转换器的理想选择。由于其高可靠性和宽工作温度范围，IXSFH26N50Q 也广泛用于恶劣环境下的工业控制和电力电子系统。