型号：QK015N5
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：4V ~ 6V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω @ VGS=10V
　　最大功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：350pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：80pF @ VDS=25V
　　栅极电荷（Qg）：45nC @ VGS=10V
　　封装形式：TO-220 / TO-252

QK015N5具备出色的电气性能和热稳定性，是中高压功率开关应用的理想选择之一。其核心优势在于较低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为0.35Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使得该器件特别适用于对温升敏感和要求高效能转换的电源系统中，如AC-DC适配器、LED驱动电源和光伏逆变器等。此外，低RDS(on)也有助于减小散热器尺寸，实现更紧凑的产品设计。
　　该器件拥有较高的漏源击穿电压（500V），能够承受瞬态过电压冲击，增强了系统在电网波动或负载突变情况下的可靠性。配合高达15A的连续漏极电流能力，QK015N5可支持较大功率等级的应用需求。同时，其脉冲漏极电流可达60A，表明其在短时大电流工况下仍具备良好表现，适用于电机启动、电容充电等瞬态负载场景。
　　QK015N5的栅极电荷（Qg）为45nC，在同类产品中处于较低水平，这意味着驱动电路所需的能量更少，不仅降低了驱动IC的负担，也减少了开关过程中的动态损耗，有利于提升高频开关应用中的效率。输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）的合理匹配进一步优化了开关速度与EMI之间的平衡，使系统更容易通过电磁兼容测试。
　　该MOSFET采用坚固的平面工艺制造，确保了批次间的一致性和长期使用的可靠性。其宽广的工作结温范围（-55℃至+150℃）使其可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级甚至部分军用级应用场景。封装形式为TO-220或TO-252，具备良好的热传导性能，可通过外接散热片有效散发工作热量，延长器件寿命。此外，器件具备一定的抗雪崩能力，能够在非钳位感性关断事件中吸收一定能量而不损坏，提升了系统鲁棒性。这些综合特性使得QK015N5成为许多中高功率开关电源设计中的优选器件。

QK015N5主要应用于各类需要高效、高耐压开关功能的电力电子系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是反激式、正激式和半桥拓扑结构中的主开关管，适用于200W以内的电源模块设计。在LED恒流驱动电源中，该器件可用于初级侧的PWM调制开关，提供稳定的能量传递控制，满足高亮度LED照明系统的能效要求。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，QK015N5凭借其低导通电阻和快速开关特性，有助于实现更高的转换效率和更小的体积设计。
　　在工业自动化领域，QK015N5常用于电机驱动电路中，作为H桥或推挽结构中的功率开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与转向。其高电流承载能力和耐压特性保证了在频繁启停和负载变化下的可靠运行。该器件也适用于UPS不间断电源、逆变器和太阳能微逆系统中，承担直流到交流的能量转换任务，在这些应用中，器件需长时间运行于高频开关状态，因此其低损耗和良好热性能显得尤为重要。
　　在家用电器方面，QK015N5可用于空调、洗衣机、冰箱等变频控制系统中的功率模块，参与实现电机的无级调速与节能运行。同时，在电池充电管理系统（BMS）和电动工具电源模块中，该MOSFET也可作为主控开关使用，控制充放电回路的通断。由于其封装易于安装和散热，适合批量生产中的自动化焊接工艺，因此在消费类电子产品中也有广泛应用前景。

K2153, FQP15N50, STP15NM50, IRFBC40