时间：2025/9/1 11:06:48
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H5MS5162DFR-J3 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片通常用于需要高性能和大容量存储的应用场景，如计算机、服务器、嵌入式系统等。H5MS5162DFR-J3属于同步动态RAM（SDRAM）类型，具有高速数据访问能力和较低的功耗特性，适用于现代电子设备对存储性能的高要求。
类型：DRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5MS5162DFR-J3 DRAM芯片具有多个关键特性，使其适用于各种高性能存储需求。首先，其256MB的存储容量和16位数据宽度提供了较高的数据吞吐能力，适合处理大量数据的应用。其次，该芯片采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的电气性能，适用于空间受限的电路设计。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应性。工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在各种工业环境和嵌入式系统中稳定运行。H5MS5162DFR-J3还支持同步模式，提高了数据传输效率，减少了延迟。该芯片的设计优化了功耗管理，适合需要低功耗运行的便携式设备和嵌入式系统。
H5MS5162DFR-J3广泛应用于需要中等容量DRAM存储的电子设备，包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）以及汽车电子系统。该芯片的高性能和稳定性使其成为工业和消费类应用中的理想选择。
H5MS5162EFR-J3, H5MS5162GFR-J3
