RFUV1703S 时间：2025/8/15 22:29:06 阅读：22

RFUV1703S 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关和射频（RF）应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供优异的导通性能和高频特性，广泛用于无线通信设备、射频放大器、DC-DC 转换器以及需要高效率和低损耗的电源系统中。RFUV1703S 采用紧凑型表面贴装封装（SOT-89），便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：连续 100mA
　　漏极功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-89

特性

RFUV1703S 具备多项优异特性，适用于高频和低功耗应用。
　　首先，其采用先进的沟槽栅极结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)），在低电压驱动下仍能保持高效的电流传导能力，从而减少功率损耗。这使得它非常适合用于电池供电设备或需要高能效的系统中。
　　其次，RFUV1703S 的高频特性优异，具有良好的增益和线性度，适用于射频信号放大和调制解调电路。其高截止频率（fT）和低输入电容（Ciss）使其在 UHF 和 VHF 频段表现良好，有助于实现稳定的高频操作。
　　此外，该器件的封装形式为 SOT-89，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装工艺，提升了制造效率和 PCB 布局的灵活性。同时，其较小的封装体积也有助于节省空间，适用于紧凑型设计。
　　最后，RFUV1703S 的栅极驱动电压范围较宽，支持 2.5V 至 10V 的驱动电压，兼容多种控制 IC 和逻辑电平，提高了设计的灵活性。

应用

RFUV1703S 主要应用于以下领域：
　　在无线通信系统中，作为射频开关、功率放大器或混频器中的关键元件，适用于 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee 等短距离无线通信模块。
　　在 DC-DC 转换器和低压电源管理电路中，该器件可用作同步整流器或负载开关，以提高能量转换效率并减少发热。
　　此外，RFUV1703S 还广泛用于传感器接口电路、低功耗微控制器系统、便携式电子设备（如智能手表、健康监测设备）等需要高效能和小尺寸器件的场合。
　　由于其高频特性，该 MOSFET 也适用于 RF 收发器前端电路、低噪声放大器（LNA）以及调谐电路等射频应用中。