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H5MS2G22BFR-J3M 发布时间 时间:2025/9/1 12:17:10 查看 阅读:11

H5MS2G22BFR-J3M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款内存芯片属于移动式低功耗DDR2 SDRAM(LPDDR2)类别,主要设计用于移动设备、平板电脑和其他对功耗敏感的应用场景。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),确保了高密度的电路连接和良好的散热性能。该芯片的容量为2Gbit(256MB),支持高速数据传输,适用于需要高性能内存解决方案的嵌入式系统。

参数

容量:2Gbit
  类型:LPDDR2 SDRAM
  封装:BGA
  工作电压:1.8V / 1.5V / 1.3V(根据模式不同)
  数据速率:800Mbps
  数据宽度:16位
  时钟频率:400MHz
  工作温度:-40°C至+85°C
  接口标准:LPDDR2

特性

H5MS2G22BFR-J3M 的主要特性之一是其低功耗设计,这使得它非常适合用于电池供电的便携式设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,可以在不使用内存时显著降低功耗。
  此外,H5MS2G22BFR-J3M 提供了较高的数据传输速率,支持高达800Mbps的接口速率,确保了快速的数据访问和处理能力。其16位的数据宽度也提升了数据吞吐量。
  该芯片的BGA封装技术不仅提供了良好的电气性能,还提高了封装的可靠性,适用于高密度PCB设计。同时,其工作温度范围较宽,从-40°C到+85°C,适应了多种环境条件下的稳定运行需求。
  H5MS2G22BFR-J3M 还支持多种命令模式和自刷新功能,能够根据系统需求动态调整内存状态,进一步优化功耗和性能之间的平衡。

应用

H5MS2G22BFR-J3M 广泛应用于移动设备如智能手机和平板电脑中,作为主内存使用。它也适用于嵌入式系统、便携式工业设备、消费类电子产品以及需要低功耗高性能内存解决方案的其他设备。由于其支持多种低功耗模式和高速数据传输,因此非常适合用于需要长时间运行并保持高性能的应用场景。

替代型号

H5MS2G22EFR-J3M、H5MS2G22FFR-J3M、H5MS2G22BFR-J3C

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