时间：2025/6/21 20:13:36
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V0R2A0201HQC500NAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效能。
型号：V0R2A0201HQC500NAT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：130A
导通电阻：0.8mΩ
功耗：240W
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃至+175℃
V0R2A0201HQC500NAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (0.8mΩ)，有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力 (130A)，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少电磁干扰。
4. 高温适应性 (-55℃ 至 +175℃)，适合恶劣环境下的使用。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，延长器件寿命。
6. 内置反向二极管，提高电路效率。
这款功率 MOSFET 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电动车辆和工业电机驱动系统。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 高效 DC-DC 转换模块。
5. 电池管理与保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
V0R2A0201HQC500NAK, IRF260N, FDP17N60C
