Q67100-Q2366是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够显著提高电路效率并降低功耗。
该器件属于N沟道增强型MOSFET,其设计优化了动态性能和热稳定性,适用于需要高效能量转换的应用环境。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:16A
导通电阻:0.08Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:开启时间:45ns,关闭时间:25ns5℃至175℃
1. 高耐压能力,最高可达650V,适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻,仅为0.08Ω,有效降低了导通损耗。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统效率。
4. 高温适应性,能够在-55℃至175℃范围内稳定工作。
5. 良好的热稳定性,确保长时间运行时的可靠性。
6. 小封装尺寸,适合空间受限的设计。
这款功率MOSFET主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子中的负载开关和保护电路
由于其出色的电气特性和可靠性,Q67100-Q2366成为众多工程师在设计高效电力电子系统时的首选。
Q67101-Q2367
IRFZ44N
FDP17N65