类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大漏极电流(Id)：11A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.85Ω（最大值）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 5V
　　最大功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

M709B1具有低导通电阻的特性，这使得器件在导通状态下能够提供较小的电压降，从而降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，M709B1具备较高的耐压能力，最大漏源电压可达900V，适用于高电压环境下的工作条件。其封装形式TO-252具备良好的散热能力，有助于器件在高功率应用中保持稳定的温度性能。该MOSFET还具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持器件的安全运行。M709B1的栅极阈值电压范围为3V至5V，这使得其能够兼容常见的控制电路驱动电压，简化了驱动电路的设计复杂度。同时，该器件的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适合多种工业和高温环境下的应用场景。

M709B1适用于多种功率电子设备，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高耐压和低导通电阻的特性，M709B1特别适合用于高效率、高稳定性的电源设计中。此外，该MOSFET也可用于家电中的电源控制部分，如空调、洗衣机和冰箱的电机驱动系统。在新能源领域，M709B1还可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，提供高效的能量传输解决方案。

M709B1的替代型号包括：FQA11N90C、SPW97N90C3、STF9NK90Z、IRFGB40。