型号：GET40NFPB22GTE
　　晶体管类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：40A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V ~ 2.2V
　　最大栅源电压（Vgs_max）：+7V / -4V
　　输入电容（Ciss）：12000pF
　　输出电容（Coss）：500pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管）
　　开关速度（ton/toff）：10ns / 8ns（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
　　封装类型：LGA或DFN兼容高功率密度设计
　　热阻结到外壳（Rth_jc）：0.35°C/W

GET40NFPB22GTE的核心优势在于其基于氮化镓材料的半导体结构，这使得它在高频开关应用中表现出远超传统硅基MOSFET的性能。首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)仅为2.2mΩ），这意味着在大电流传输过程中能量损耗显著降低，从而提高了系统的整体能效。尤其在数据中心电源、电动汽车充电模块等对热管理极为敏感的应用中，这种低损耗特性可大幅减少散热需求，进而缩小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。
　　其次，GET40NFPB22GTE具备极快的开关速度，开通和关断时间均处于纳秒级别（ton约10ns，toff约8ns），使其非常适合用于MHz级开关频率的电源拓扑，例如LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC电路。高速开关不仅提升了动态响应能力，还允许使用更小的被动元件（如电感和电容），进一步提高功率密度。
　　第三，由于氮化镓材料本身不具备体二极管，因此该器件在反向恢复电荷（Qrr）方面表现近乎理想——Qrr接近于零。这一特性极大减少了在硬开关或桥式电路中的交叉导通损耗和电压尖峰，提升了系统可靠性和EMI表现。
　　此外，该器件采用了低寄生电感的封装技术（如LGA或DFN），有效抑制了开关过程中的电压振铃现象，增强了在高dV/dt环境下的稳定性。同时，其栅极驱动电压窗口较窄（通常为+5V逻辑驱动），需配合专用的GaN驱动IC使用，以确保安全可靠的开关操作。
　　最后，GET40NFPB22GTE的工作结温可达150°C，具备良好的高温工作能力，适合在恶劣工业环境中长期稳定运行。综合来看，这款器件代表了当前功率半导体技术的发展方向，在追求小型化、高效化和智能化的电力电子系统中具有不可替代的地位。

GET40NFPB22GTE主要面向需要高效率和高功率密度的现代电力电子系统。一个典型应用场景是数据中心和服务器电源中的图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路。在此类应用中，传统的硅基MOSFET受限于开关速度和导通损耗，难以满足80 PLUS钛金等级以上的能效要求。而GET40NFPB22GTE凭借其低Rds(on)和零Qrr特性，可在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下实现极低的开关损耗，显著提升PFC级的整体效率，尤其是在轻载和半载工况下表现尤为突出。
　　另一个重要应用是在车载充电机（OBC）中，特别是在双向OBC架构中，该器件可用于实现高效率的DC-AC和AC-DC转换。其高频工作能力使得磁性元件体积大大减小，有助于减轻整车重量并节省空间。同时，在电动汽车直流快充桩中，GET40NFPB22GTE可用于LLC谐振变换器或移相全桥拓扑，支持高达数十千瓦的输出功率，满足快速充电的需求。
　　在可再生能源领域，该器件也广泛应用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-DC转换模块。其优异的热性能和长期可靠性确保了在户外高温、高湿环境下仍能稳定运行多年。
　　此外，工业电源、5G基站供电单元、高端UPS不间断电源以及激光驱动电源等对动态响应和效率要求严苛的场合，也是GET40NFPB22GTE的重要应用方向。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，该器件正逐步取代部分硅基IGBT和MOSFET，成为下一代高效电源系统的首选开关器件。

EPC2045
　　GAN50XXTB
　　GS66508T