时间：2025/7/24 2:16:57
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IXFC13N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件专为高电压、高频率和高效率的应用设计，广泛用于电源转换器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制以及工业自动化设备等。IXFC13N50采用TO-220封装，具有良好的热性能和电流承载能力，能够在高电压环境下提供稳定的开关性能。该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：13A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.35Ω
最大栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
最大功耗(Pd)：80W
阈值电压(Vgs(th))：典型值为4.5V
漏极-源极击穿电压(BVdss)：500V
输入电容(Ciss)：典型值为1000pF
反向恢复时间(trr)：典型值为100ns
IXFC13N50的主要特性之一是其高电压耐受能力，最大漏源电压可达500V，适用于中高功率的开关电源应用。其导通电阻较低，典型值为0.35Ω，使得在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体系统的效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，采用TO-220封装，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅极电压，提高了驱动电路设计的灵活性。IXFC13N50的阈值电压为4.5V，这意味着它可以在标准逻辑电平下工作，适用于多种控制电路。此外，其输入电容较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，提高开关速度。
IXFC13N50还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在高频开关环境下保持稳定性能。反向恢复时间较短，典型值为100ns，使其在同步整流和电机驱动等应用中表现出色。该器件的可靠性和稳定性使其成为工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器和LED照明驱动器等应用的理想选择。
IXFC13N50广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高电压和高频率操作的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器以及工业自动化控制系统等。其低导通电阻和高耐压能力使其在高效电源转换系统中表现出色，同时也能在高频开关环境中保持良好的稳定性。
此外，IXFC13N50还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊设备以及电磁感应加热设备等高功率应用。其良好的热性能和封装设计使其适用于需要良好散热性能的场合。
IXFH13N50P、IRFBC30、STP12NM50N、FQA13N50C
