时间：2025/5/8 9:35:47
阅读：4
IPB050N10NF2S 是一款 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），属于 Infineon 的 IPB 系列。该器件采用 SMD 封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率功率转换应用。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。
该 MOSFET 具有出色的热性能和电气特性，能够在高频条件下保持高效运行，同时具备良好的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.0A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：27nC
总电容：1680pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless
IPB050N10NF2S 提供了低导通电阻以减少传导损耗，从而提升整体系统效率。此外，它还具有快速开关能力，能够降低开关损耗。器件内置反向二极管，可支持续流功能，在电机驱动和逆变器等应用中表现出色。
其 TO-Leadless 封装设计有助于提高散热性能，并且可以轻松集成到表面贴装生产工艺中。由于该器件的工作温度范围较广，因此非常适合在极端环境下使用。
该 MOSFET 广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
主要应用包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流
2. 降压和升压 DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关
4. 电动工具和家用电器的无刷直流电机驱动
5. 工业自动化设备中的电磁阀驱动
IPD050N10N_G, IRF540N
