时间：2025/12/29 14:21:11
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PVD110-6 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用先进的STripFET? F7技术制造。该器件主要面向需要高效能、高可靠性的应用场合，特别是在功率转换和电源管理领域中表现出色。PVD110-6 封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在高温或高功率密度的环境中使用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss)：100V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：最大6.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：60nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PVD110-6 MOSFET 具有以下显著特性：
首先，它采用了STripFET? F7技术，该技术是意法半导体在功率MOSFET领域的一项创新技术，能够显著降低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为6.5mΩ，确保在高电流应用中保持较低的功耗。
其次，该器件具有较高的电流承载能力，在100A的额定漏极电流下仍能保持稳定运行，适用于高功率应用。此外，其栅极电荷（Qg）为60nC，这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统的整体效率。
再者，PVD110-6的封装形式为PowerFLAT 5x6，该封装具有优异的热性能和较小的封装尺寸，能够在有限的空间内实现高效的功率传输。这种封装设计也提高了器件在高温环境下的稳定性与可靠性。
最后，该MOSFET具有宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），可在极端温度条件下正常工作，适用于各种严苛的应用环境。
PVD110-6 MOSFET广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在DC-DC转换器中，由于其低Rds(on)和高电流能力，该器件可有效提升转换效率并减少发热，适用于服务器电源、通信设备和工业电源模块。在负载开关电路中，PVD110-6能够实现快速、可靠的开关控制，广泛用于电池管理系统和高功率LED照明控制。此外，它还可用于电机驱动器和逆变器系统，支持高效、紧凑的电机控制系统设计。由于其优异的热稳定性和高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统。在储能系统和太阳能逆变器中，PVD110-6也能提供稳定的功率开关性能。
STL110N10F7, IPP110N10S4-06, IPW60R070C6
