类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：80V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：210A
　　脉冲漏极电流(IDM)：600A
　　漏源导通电阻(RDS(on))@最大值：0.45mΩ @ 10V VGS
　　栅源阈值电压(VGS(th))：2.3V ~ 3.5V
　　栅极电荷(Qg)@10V：185nC
　　输入电容(Ciss)：7700pF
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：PowerPAK 8x8 DualCool

80SQ045TR的核心优势在于其采用了Vishay专有的TrenchFET?沟道技术，这种技术通过在硅片上构建垂直导电沟道结构，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了超低RDS(on)值。该器件在VGS=10V条件下测得的最大RDS(on)仅为0.45mΩ，这一指标使其能够在大电流应用中大幅减少I2R导通损耗，提升系统效率。同时，由于导通电阻极低，即使在高负载条件下也能保持较低的工作温升，延长了系统的使用寿命。
　　另一个关键特性是其PowerPAK 8x8 DualCool?封装。该封装允许从器件的顶部和底部同时进行散热，极大增强了热传导路径的有效性。相比传统单面散热封装，DualCool技术可将热阻RθJC（结到外壳）降至极低水平，通常低于0.25°C/W，从而使得器件可以在更高功率下持续运行而不发生热失效。这种双向散热能力特别适用于空间受限但功率密度高的应用场景，如服务器电源、通信设备电源模块和电动汽车辅助电源系统。
　　在动态性能方面，80SQ045TR表现出优异的开关特性。其典型输入电容Ciss为7700pF，栅极电荷Qg在10V驱动下为185nC，这些参数表明它在高频开关应用中具有较快的响应速度和较低的驱动功耗。较低的栅极电荷意味着控制器所需的驱动电流更小，有利于简化驱动电路设计并减少驱动芯片的负担。此外，其反向恢复时间trr仅为28ns，配合肖特基体二极管设计，有效减少了同步整流过程中的反向恢复损耗，避免了因体二极管拖尾电流引起的额外发热问题。
　　该器件还具备出色的抗雪崩能量能力，能够在短时过压或感性负载突变情况下承受一定的能量冲击而不会损坏。这得益于其坚固的晶圆结构和经过优化的掺杂分布设计。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛的工业和汽车级工作环境。综合来看，80SQ045TR凭借其低导通电阻、高效散热结构、优异开关性能和高可靠性，成为高性能功率MOSFET中的优选器件之一。

80SQ045TR主要应用于需要高电流、低损耗和高效散热的电力电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC降压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）设计中作为高端或低端开关使用，常见于服务器主板、高端GPU供电系统和数据中心电源架构。其低RDS(on)和高电流能力使其非常适合用于大电流同步整流拓扑，例如在LLC谐振转换器或有源钳位反激变换器中替代传统二极管，以提高转换效率并降低温升。
　　在工业领域，该器件可用于电机驱动器中的H桥功率级，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于需要频繁启停或高扭矩输出的自动化设备。此外，在电池管理系统（BMS）、电动工具和电动自行车的主控开关电路中，80SQ045TR也可作为主功率开关，实现快速通断控制和低静态损耗。
　　通信基础设施设备如基站电源、光模块供电单元也常采用此类高性能MOSFET来满足高可靠性和长寿命的要求。其DualCool封装特别适合安装在带有强制风冷或金属散热片的PCB上，确保长时间稳定运行。另外，在UPS不间断电源、太阳能逆变器和储能系统的功率级中，80SQ045TR可用于构建高效的功率转换链路，帮助提升整体能效等级。由于其具备良好的高频开关能力和热稳定性，该器件也被广泛用于各类高密度电源适配器和数字电源模块的设计中。

SQJ808EP-T1-GE3