PSS50SA2F6是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率肖特基二极管,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的平面硅技术制造,具备低正向压降和快速开关特性,适用于多种电源管理场景。PSS50SA2F6的额定平均正向电流为50A,反向重复峰值电压为60V,这使得它在低压大电流的应用中表现出色,例如开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及续流或箝位电路中。该器件封装于紧凑且热性能优良的TO-247AC封装中,具有良好的散热能力,适合高功率密度设计。其低功耗特性和高可靠性使其成为工业电源、电信设备和消费类电子产品中的理想选择。此外,PSS50SA2F6符合RoHS环保标准,并通过了多项国际安全与质量认证,确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。由于其出色的电气性能和坚固的封装设计,该器件能够在高温环境下持续工作,提升了整个系统的能效与可靠性。
型号:PSS50SA2F6
制造商:STMicroelectronics
器件类型:肖特基势垒二极管
最大重复反向电压(VRRM):60V
平均正向整流电流(IF(AV)):50A
峰值正向浪涌电流(IFSM):350A
最大正向电压降(VF):0.59V @ 25°C, 25A
最大反向漏电流(IR):1.0mA @ 60V, 25°C;10mA @ 60V, 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
封装类型:TO-247AC
引脚数:2
热阻(RthJC):1.8 K/W 典型值
PSS50SA2F6的核心优势在于其采用了高性能的肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降,从而显著降低了导通损耗,提高了整体电源转换效率。在25A电流下,其典型正向压降仅为0.59V,相比传统PN结二极管具有明显优势,尤其适用于需要高效能量转换的低压大电流场合。这种低VF特性不仅减少了功耗,还降低了对散热系统的要求,有助于缩小产品体积并提升功率密度。该器件具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持较低的反向漏电流和稳定的电气性能。在125°C结温时,最大反向漏电流控制在10mA以内,避免了因漏电增加而导致的热失控风险。此外,PSS50SA2F6具有非常快的反向恢复时间(理论上趋近于零),因为它属于多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰问题,极大提升了系统的工作频率上限和动态响应能力。
该器件的TO-247AC封装不仅提供了良好的机械强度,还具备出色的热传导性能,热阻RthJC仅为1.8K/W,能够有效将芯片产生的热量传导至散热器,确保长时间高负载运行下的可靠性。封装材料符合工业级标准,具备高绝缘性和耐湿性,适用于恶劣工业环境。PSS50SA2F6还通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保其在各种应用场景下的长期稳定性。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其能够在极端温度条件下正常工作,适用于户外设备、汽车电子及工业控制系统等对环境适应性要求高的领域。
PSS50SA2F6广泛应用于各类需要高效、大电流整流的电力电子系统中。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作输出整流二极管,特别是在低压大电流输出的服务器电源、通信电源和工业电源模块中,其低正向压降可显著提升整体效率。在DC-DC转换器中,尤其是在同步整流架构尚未普及或成本受限的设计中,PSS50SA2F6作为续流二极管使用,能够有效降低导通损耗,提高转换效率。该器件也适用于不间断电源(UPS)、逆变器和太阳能微逆变器中的防反接和续流保护电路,利用其快速响应特性防止能量倒灌并保护主开关器件。在电机驱动系统中,PSS50SA2F6可用于感应电动势的箝位和能量回馈路径,保障功率MOSFET或IGBT的安全运行。此外,在电池充电管理系统(BMS)和电动汽车车载充电机(OBC)中,该器件可用于电池组之间的均流控制或防止反向放电。由于其高电流承载能力和良好的热性能,PSS50SA2F6也可用于焊接设备、电镀电源等大功率工业设备中作为主整流元件。在电信基础设施中,如基站电源和光传输设备电源单元中,该器件凭借其高可靠性和长寿命,成为关键的功率组件之一。
STPS50SM60S