时间：2025/6/26 21:12:42
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GQM1555C2D3R4WB01D是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统功耗并提高可靠性。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，其设计旨在优化动态性能和热性能，非常适合需要高效能量转换的应用环境。
型号：GQM1555C2D3R4WB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：95nC
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围：-55℃至+175℃
GQM1555C2D3R4WB01D具备出色的电气特性和热管理能力，使其成为众多高功率应用的理想选择。以下是其主要特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，可有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达80A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷(Qg)，能够显著降低开关损耗。
4. 强大的热性能，适合长时间高温运行环境。
5. 宽泛的工作温度范围，从-55℃到+175℃，确保在极端条件下依然稳定可靠。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
GQM1555C2D3R4WB01D广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
2. 工业用DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电动车辆及工业电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率调节模块。
5. 各类负载切换和保护电路的设计。
其卓越的性能和可靠性使其成为这些高要求应用场景中的首选器件。
GQM1555C2D3R4WB01A, GQM1555C2D3R4WB01B
